全球最大的内存芯片制造商正在推出迄今为止最先进的 HBM，以充分利用市场复苏和人工智能的高需求。
三星周二表示，已开发出业界首款 12 堆栈 HBM3E DRAM，使其成为迄今为止容量最高的高带宽内存。
这家韩国科技巨头表示，HBM3E 12H DRAM 的最大带宽为 1,280GB/s，容量为 36GB。三星表示，与 8 堆栈 HBM3 相比，带宽和容量均提高了 50%。
HBM由多个垂直堆叠的 DRAM 模块组成，每个模块称为堆栈或层。以三星最新的为例，每个DRAM模块的容量为24吉比特（Gb），相当于3吉字节（GB），共有十二个。
内存制造商三星、SK 海力士和美光正在竞相增加堆叠数量，同时限制堆叠高度，以使芯片尽可能薄并具有更大容量。
随着存储芯片市场的下行周期似乎已经结束，三者都计划今年增加 HBM 的产量，并满足人工智能普及的高需求，这增加了对 GPU 的需求__尤其是 Nvidia 生产的__与这些 HBM 配对。
据三星介绍，其采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12叠层HBM3E具有与8叠层相同的高度，以满足封装要求。该公司表示，该薄膜比以前使用的薄膜更薄，消除了堆叠之间的空隙，并且它们之间的间隙减小到了 7 微米，使得 12 堆叠 HBM3E 的垂直密度比 8 堆叠高出 20% 以上。
三星表示，TC NCF还允许使用小凸块和大凸块，在芯片焊接过程中，小凸块用于信号区域，大凸块用于需要散热的地方。
这家科技巨头表示，HBM3E 12H 更高的性能和容量将使客户能够降低数据中心的总拥有成本。三星声称，在人工智能应用方面，与HBM3 8H相比，人工智能训练的平均速度可提高34%，推理服务的并发用户数可提高11.5倍。
该公司已向客户提供HBM3E 12H样品，并计划在今年上半年开始量产。